DDR4是第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器，相比DDR3在性能、容量和功耗上都有顯著提升。

一、速度與帶寬提升

DDR3內存頻率通常為800-2133MHz，DDR4起步頻率即為2133MHz，現(xiàn)已發(fā)展到2400-3600MHz甚至更高。DDR4的帶寬可達DDR3的兩倍左右，以DDR4 3200MHz為例，理論帶寬約25.6GB/s，而DDR3 1600MHz僅12.8GB/s。

二、功耗與電壓變化

DDR4工作電壓從DDR3的1.5V/1.35V降至1.2V，低電壓版DDR4L可達1.05V，功耗降低約20%-40%。更低的電壓意味著更少的熱量產(chǎn)生，適合緊湊設備和服務器。

三、容量與密度提升

DDR4支持更高密度的DRAM顆粒，單條容量可達32GB甚至64GB。DDR4還引入了Bank Group架構，提高了數(shù)據(jù)訪問效率。

四、物理兼容性

DDR4與DDR3物理接口不同，針腳數(shù)為288針(DDR3為240針)，缺口位置也不同，不能混插。需要搭配DDR4主板(Intel 100/200/300/400/500系列、AMD AM4平臺)。