SSD閃存壞塊  

閃存也是有一定壽命的，并不是長(zhǎng)生不老的。當(dāng)一個(gè)閃存塊接近或者超出其最大擦寫(xiě)次數(shù)時(shí)，就會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)單元永久性損傷，不能夠再使用。但是伴隨著閃存工藝不斷向前發(fā)展，晶體管的尺寸越來(lái)越小，擦寫(xiě)次數(shù)也變得越來(lái)越少。

但是我們一定要知道閃存中的存儲(chǔ)單元先天就有一些是壞的，或者說(shuō)是不穩(wěn)定的，即出廠壞塊。并且隨著閃存的不斷使用，壞的存儲(chǔ)單元越來(lái)越多。所以，用戶寫(xiě)入閃存的數(shù)據(jù)，必須要有ECC糾錯(cuò)碼保護(hù)，這樣即使其中的一些比特發(fā)生反轉(zhuǎn)，讀取的時(shí)候也能通過(guò)ECC糾正過(guò)來(lái)。

讀干擾  

從閃存讀取原理來(lái)看，當(dāng)你讀取一個(gè)閃存頁(yè)（Page）的時(shí)候，閃存塊當(dāng)中未被選取的閃存頁(yè)的控制極都會(huì)加一個(gè)正電壓，以保證未被選中的MOS管是導(dǎo)通的。這樣問(wèn)題就來(lái)了，頻繁地在一個(gè)MOS管控制極加正電壓，就可能導(dǎo)致電子被吸進(jìn)浮柵極，形成輕微寫(xiě)，從而最終導(dǎo)致比特翻轉(zhuǎn)。

寫(xiě)干擾  

除了讀干擾會(huì)導(dǎo)致比特翻轉(zhuǎn)，寫(xiě)干擾（Program Disturb）也會(huì)導(dǎo)致比特翻轉(zhuǎn)。

存儲(chǔ)單元間的耦合  

柵極閃存存儲(chǔ)電荷的是導(dǎo)體，因此存儲(chǔ)單元之間存在耦合電容，這會(huì)使存儲(chǔ)單元內(nèi)的電荷發(fā)生意外變化，最終導(dǎo)致數(shù)據(jù)讀取錯(cuò)誤。

電荷泄漏  

存儲(chǔ)在閃存存儲(chǔ)單元的電荷，如果長(zhǎng)期不使用，就會(huì)發(fā)生電荷泄漏。這同樣會(huì)導(dǎo)致非永久性損傷，擦除后閃存塊還能使用。